![GT50N322A GT50N322A](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/828/TO-3P-3%2CTO-247-3.jpg)
GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage
![GT50N322A_datasheet_en_20080111.pdf?did=11080&prodName=GT50N322A](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1000V 50A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 800 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 318.57 грн |
10+ | 257.93 грн |
50+ | 243.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1000V 50A TO3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 800 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 156 W.
Інші пропозиції GT50N322A за ціною від 149.01 грн до 346.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GT50N322A | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GT50N322A | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |