![GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S)](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/5E/A0/00/00/1/2789_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a0a85b3d60ccbc14c69437a32820a05ac2e6f41c)
GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA
![GT50JR22.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 304 грн |
4+ | 219.14 грн |
11+ | 207.26 грн |
25+ | 205.77 грн |
100+ | 199.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GT50JR22(STA1,E,S) за ціною від 166.16 грн до 388.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
GT50JR22(STA1,E,S) Код товару: 152398 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |