![GT40WR21,Q GT40WR21,Q](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/TO_3P_N_3_DSL.jpg)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 799.5 грн |
10+ | 675.73 грн |
20+ | 546.82 грн |
50+ | 515.9 грн |
100+ | 499.73 грн |
200+ | 460.37 грн |
500+ | 431.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40WR21,Q Toshiba
Description: IGBT 1350V 40A TO3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції GT40WR21,Q за ціною від 389.07 грн до 805.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GT40WR21,Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
GT40WR21,Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |