![GT40WR21,Q(O GT40WR21,Q(O](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c1edb36d776bdbb8f59d80450c99f17d75abb452/to-3p_n_.jpg)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 346.44 грн |
39+ | 304.14 грн |
50+ | 241.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40WR21,Q(O Toshiba
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції GT40WR21,Q(O за ціною від 468.65 грн до 993.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GT40WR21,Q(O | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.8kV Collector current: 40A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 950ns Turn-off time: 570ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GT40WR21,Q(O | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GT40WR21,Q(O | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.8kV Collector current: 40A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 950ns Turn-off time: 570ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GT40WR21,Q(O | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |