![GT30N135SRA,S1E(S GT30N135SRA,S1E(S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA
![3685631.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 358.4 грн |
10+ | 304 грн |
30+ | 258.4 грн |
120+ | 199.09 грн |
510+ | 164.57 грн |
1020+ | 161.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції GT30N135SRA,S1E(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GT30N135SRA,S1E(S | Виробник : Toshiba | SOFT SWITCHING IGBT WITH DIODE |
товар відсутній |