![GT20N135SRA,S1E GT20N135SRA,S1E](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/TO-247-3_DSL.jpg)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 277.98 грн |
10+ | 188.33 грн |
30+ | 132.14 грн |
270+ | 107.54 грн |
510+ | 102.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20N135SRA,S1E Toshiba
Description: IGBT 1350V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 700µJ (off), Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 312 W.
Інші пропозиції GT20N135SRA,S1E за ціною від 167.92 грн до 314 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GT20N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: -, 700µJ (off) Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 312 W |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
GT20N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |