![GT20N135SRA,S1E(S GT20N135SRA,S1E(S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
![3622411.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 260.11 грн |
10+ | 196.41 грн |
100+ | 189.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GT20N135SRA,S1E(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GT20N135SRA,S1E(S | Виробник : Toshiba | GT20N135SRA,S1E(S |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
GT20N135SRA,S1E(S | Виробник : Toshiba | IGBT for soft switching applications / Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
товар відсутній |