Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > GT10N10
GT10N10

GT10N10 Goford Semiconductor

GT10N10.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+9.1 грн
15000+ 8.1 грн
30000+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT10N10 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 7A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 17W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції GT10N10 за ціною від 8.93 грн до 51.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT10N10 GT10N10 Виробник : Goford Semiconductor GT10N10.pdf Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.44 грн
10+ 30.75 грн
100+ 19.81 грн
500+ 14.17 грн
1000+ 12.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT10N10 Виробник : GOFORD Semiconductor GT10N10.pdf N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.71 грн
15000+ 9.9 грн
30000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT10N10 Виробник : GOFORD Semiconductor GT10N10.pdf N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.71 грн
15000+ 9.9 грн
30000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT10N10 GT10N10 Виробник : Goford Semiconductor GT10N10.pdf Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
товару немає в наявності