GT100N12T Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V

на замовлення 168 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	133.58 грн
50+	68.03 грн
100+	61.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GT100N12T Goford Semiconductor

Інші пропозиції GT100N12T за ціною від 46.9 грн до 46.9 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	GT100N12T	Виробник : GOFORD Semiconductor	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 260+ 46.9 грн Мінімальне замовлення: 260 купити