GT100N04D3 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.41 грн |
13+ | 23.21 грн |
100+ | 16.13 грн |
500+ | 11.82 грн |
1000+ | 9.61 грн |
2000+ | 8.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT100N04D3 Goford Semiconductor
N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L.
Інші пропозиції GT100N04D3 за ціною від 9.49 грн до 9.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GT100N04D3 | Виробник : GOFORD Semiconductor | N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
GT100N04D3 | Виробник : GOFORD Semiconductor | N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
GT100N04D3 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |