GT095N10K Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	32.03 грн
5000+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GT095N10K Goford Semiconductor

Інші пропозиції GT095N10K за ціною від 30.74 грн до 77.59 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	GT095N10K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V	на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 5+ 77.59 грн 10+  60.98 грн 100+  47.45 грн 500+  37.74 грн 1000+  30.74 грн Мінімальне замовлення: 5 купити