GT095N10D5

GT095N10D5 Goford Semiconductor


GT095N10D5.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.06 грн
10000+ 27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT095N10D5 Goford Semiconductor

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

Інші пропозиції GT095N10D5 за ціною від 23.29 грн до 76.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT095N10D5 GT095N10D5 Виробник : Goford Semiconductor GT095N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.77 грн
10+ 60.1 грн
100+ 46.76 грн
500+ 37.19 грн
1000+ 30.3 грн
2000+ 28.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10D5 Виробник : GOFORD Semiconductor GT095N10D5.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000