GS61004B-MR

GS61004B-MR GaN Systems Inc


gs61004b-ds-rev-221201.pdf Виробник: GaN Systems Inc
100V enhancement mode GaN transistor
на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+270.05 грн
Мінімальне замовлення: 250
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS61004B-MR GaN Systems Inc

Description: GS61004B-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GS61004B-MR за ціною від 160.41 грн до 404.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GS61004B-MR GS61004B-MR Виробник : GaN Systems GS61004B_DS_Rev_221201-3440452.pdf GaN FETs 100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.88 грн
10+ 320.14 грн
25+ 262.56 грн
100+ 235.94 грн
250+ 199.97 грн
1000+ 170.48 грн
2500+ 160.41 грн
GS61004B-MR GS61004B-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS61004B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+404.62 грн
10+ 259.93 грн
100+ 186.52 грн
GS61004B-MR Виробник : GaN Systems gs61004b-ds-rev-221201.pdf 100V enhancement mode GaN transistor
товар відсутній
GS61004B-MR GS61004B-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS61004B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V
товар відсутній