Продукція > GAN SYSTEMS > GS-065-030-6-LR-MR
GS-065-030-6-LR-MR

GS-065-030-6-LR-MR GaN Systems

Infineon_GS_065_030_6_LR_TR_DataSheet_v01_00_EN-3440058.pdf Виробник: GaN Systems
GaN FETs
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1060.26 грн
10+ 920.64 грн
25+ 779.47 грн
50+ 735.89 грн
100+ 734.49 грн
250+ 623.43 грн
1000+ 574.94 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-030-6-LR-MR GaN Systems

Description: GS-065-030-6-LR-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-030-6-LR-MR за ціною від 567.44 грн до 567.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GS-065-030-6-LR-MR Виробник : GaN Systems GS-065-030-6-LR-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+567.44 грн
Мінімальне замовлення: 250
GS-065-030-6-LR-MR GS-065-030-6-LR-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товар відсутній
GS-065-030-6-LR-MR GS-065-030-6-LR-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товар відсутній