GS-065-030-2-L-MR GaN Systems Inc
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 898.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-030-2-L-MR GaN Systems Inc
Description: GS-065-030-2-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-030-2-L-MR за ціною від 630.14 грн до 1065.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GS-065-030-2-L-MR | Виробник : GaN Systems | MOSFETs 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GS-065-030-2-L-MR | Виробник : GaN Systems | Trans MOSFET N-CH GaN 850V 30A |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
GS-065-030-2-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-030-2-L-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
GS-065-030-2-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-030-2-L-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V |
товар відсутній |