на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 505.21 грн |
10+ | 417.75 грн |
25+ | 343.12 грн |
100+ | 307.87 грн |
250+ | 260.4 грн |
1000+ | 222.99 грн |
2500+ | 210.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-011-6-LR-MR GaN Systems
Description: GS-065-011-6-LR-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-011-6-LR-MR за ціною від 217.36 грн до 217.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GS-065-011-6-LR-MR | Виробник : GaN Systems | GS-065-011-6-LR-MR |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
GS-065-011-6-LR-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-011-6-LR-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V |
товар відсутній |
||||||
GS-065-011-6-LR-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-011-6-LR-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V |
товар відсутній |