Продукція > GAN SYSTEMS INC > GS-065-011-1-L-MR
GS-065-011-1-L-MR

GS-065-011-1-L-MR GaN Systems Inc

gs-065-011-1-l-ds-rev-210914.pdf Виробник: GaN Systems Inc
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+207.42 грн
Мінімальне замовлення: 250
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-011-1-L-MR GaN Systems Inc

Description: GS-065-011-1-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-011-1-L-MR за ціною від 203.57 грн до 498.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GS-065-011-1-L-MR GS-065-011-1-L-MR Виробник : GaN Systems Inc gs-065-011-1-l-ds-rev-210914.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+317.23 грн
Мінімальне замовлення: 250
GS-065-011-1-L-MR GS-065-011-1-L-MR Виробник : GaN Systems GS_065_011_1_L_DS_Rev_220708-3440445.pdf GaN FETs 650V, 11A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.65 грн
10+ 352.4 грн
25+ 288.45 грн
100+ 247.45 грн
250+ 233.06 грн
500+ 219.4 грн
1000+ 203.57 грн
GS-065-011-1-L-MR GS-065-011-1-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+498.78 грн
10+ 324.67 грн
100+ 236.33 грн
GS-065-011-1-L-MR Виробник : GaN Systems gs-065-011-1-l-ds-rev-210914.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A
товар відсутній
GS-065-011-1-L-MR GS-065-011-1-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товар відсутній