GS-065-008-1-L-MR GaN Systems
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 383.52 грн |
10+ | 317.66 грн |
25+ | 260.4 грн |
100+ | 223.71 грн |
250+ | 210.76 грн |
500+ | 198.54 грн |
1000+ | 169.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-008-1-L-MR GaN Systems
Description: GS-065-008-1-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-008-1-L-MR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GS-065-008-1-L-MR | Виробник : GaN Systems | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 8A 8-Pin PDFN EP Reel |
товар відсутній |
||
GS-065-008-1-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-008-1-L-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V |
товар відсутній |
||
GS-065-008-1-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-008-1-L-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V |
товар відсутній |