Продукція > GAN SYSTEMS > GS-065-004-1-L-MR
GS-065-004-1-L-MR

GS-065-004-1-L-MR GaN Systems

GS_065_004_1_L_DS_Rev_220712-3440192.pdf Виробник: GaN Systems
GaN FETs 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.25 грн
10+ 205.98 грн
25+ 169.04 грн
100+ 144.59 грн
250+ 136.67 грн
500+ 128.76 грн
1000+ 110.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-004-1-L-MR GaN Systems

Description: GS-065-004-1-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-004-1-L-MR за ціною від 103.58 грн до 250.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GS-065-004-1-L-MR GS-065-004-1-L-MR Виробник : Infineon Technologies GS_065_004_1_L_DS_Rev_220712-3440192.pdf GaN FETs 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.09 грн
10+ 206.81 грн
25+ 169.76 грн
100+ 152.5 грн
250+ 128.76 грн
1000+ 110.06 грн
2500+ 103.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
GS-065-004-1-L-MR
Код товару: 195374 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
GS-065-004-1-L-MR Виробник : GaN Systems gs-065-004-1-l-ds-rev-210322.pdf GS-065-004-1-L-MR
товар відсутній
GS-065-004-1-L-MR GS-065-004-1-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-004-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
товар відсутній
GS-065-004-1-L-MR GS-065-004-1-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-004-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
товар відсутній