![GPP20J-E3/73 GPP20J-E3/73](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2527/112;DO204AC,DO15;;2.jpg)
GPP20J-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![gpp20a.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 5.34 грн |
6000+ | 4.91 грн |
10000+ | 4.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GPP20J-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GPP20J-E3/73 за ціною від 4.01 грн до 32.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GPP20J-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GPP20J-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GPP20J-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GPP20J-E3/73 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 12pF Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 70A Case: DO15 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GPP20J-E3/73 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 12pF Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 70A Case: DO15 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 50µA |
товар відсутній |