![GP3D020A065B GP3D020A065B](https://www.mouser.com/images/semiq/lrg/TO-247-2L_DSL.jpg)
GP3D020A065B SemiQ
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 400.16 грн |
10+ | 312.81 грн |
120+ | 232.65 грн |
510+ | 206.64 грн |
1020+ | 166.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D020A065B SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GP3D020A065B за ціною від 290.38 грн до 444.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GP3D020A065B | Виробник : SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|