![GP3D020A065A GP3D020A065A](https://www.mouser.com/images/semiq/lrg/TO-220-2L_DSL.jpg)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 379.66 грн |
100+ | 273.2 грн |
250+ | 230.54 грн |
500+ | 224.91 грн |
1000+ | 210.15 грн |
2500+ | 205.23 грн |
5000+ | 201.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D020A065A SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GP3D020A065A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GP3D020A065A | Виробник : SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V |
товар відсутній |