![GP3D015A120A GP3D015A120A](https://www.mouser.com/images/semiq/lrg/TO-220-2L_DSL.jpg)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 595.32 грн |
10+ | 503.56 грн |
100+ | 364.08 грн |
250+ | 356.35 грн |
500+ | 321.91 грн |
1000+ | 271.3 грн |
5000+ | 267.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D015A120A SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GP3D015A120A за ціною від 526.92 грн до 605.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GP3D015A120A | Виробник : SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|