![GP3D012A065B GP3D012A065B](https://www.mouser.com/images/semiq/lrg/TO-247-2L_DSL.jpg)
GP3D012A065B SemiQ
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 316.52 грн |
10+ | 267.54 грн |
120+ | 210.86 грн |
270+ | 204.53 грн |
510+ | 192.58 грн |
1020+ | 175.01 грн |
5010+ | 172.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D012A065B SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GP3D012A065B за ціною від 321.61 грн до 321.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GP3D012A065B | Виробник : SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|