GP30M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87 грн |
10+ | 68.53 грн |
100+ | 53.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP30M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GP30M-E3/54 за ціною від 34.78 грн до 94.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GP30M-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 125 Amp IFSM |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GP30M-E3/54 | Виробник : VISHAY | 09+ SOP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GP30ME354 | Виробник : VISHAY | SMD |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GP30M-E3/54 | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GP30M-E3/54 | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GP30M-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |