![GP2T080A120U GP2T080A120U](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2983/MFG_GP2T080A120U.jpg)
GP2T080A120U SemiQ
![GP2T080A120U.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 794.52 грн |
10+ | 655.49 грн |
100+ | 546.24 грн |
500+ | 452.32 грн |
1000+ | 407.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP2T080A120U SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції GP2T080A120U за ціною від 423.12 грн до 870.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GP2T080A120U | Виробник : SemiQ |
![]() |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|