![GP2T040A120U GP2T040A120U](https://www.mouser.com/images/semiq/lrg/TO-247-3L_SPL.jpg)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1379.28 грн |
10+ | 1198.14 грн |
30+ | 1013.65 грн |
60+ | 956.51 грн |
120+ | 900.08 грн |
270+ | 871.86 грн |
510+ | 815.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP2T040A120U SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 322W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції GP2T040A120U за ціною від 1407.11 грн до 1590.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GP2T040A120U | Виробник : SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 322W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|