![GP2T040A120H GP2T040A120H](https://www.mouser.com/images/semiq/lrg/TO-247-4L_SPL.jpg)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1424.34 грн |
10+ | 1237.49 грн |
30+ | 1046.55 грн |
60+ | 987.51 грн |
120+ | 929.18 грн |
270+ | 901.06 грн |
510+ | 842.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP2T040A120H SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 322W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції GP2T040A120H за ціною від 1431.78 грн до 1617.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GP2T040A120H | Виробник : SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 322W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|