GL41YHE3/97

GL41YHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division


bym10-xxx.pdf Виробник: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
на замовлення 4882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GL41YHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 30A, Type of diode: rectifying, Max. off-state voltage: 1.6kV, Max. forward impulse current: 30A, Semiconductor structure: single diode, Case: DO213AB, Mounting: SMD, Leakage current: 50µA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Capacitance: 8pF, Load current: 1A, Max. forward voltage: 1.2V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції GL41YHE3/97

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GL41YHE3/97 GL41YHE3/97 Виробник : Vishay bym10-xxx.pdf Diode Switching 1.6KV 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R
товар відсутній
GL41YHE3/97 Виробник : VISHAY bym10-xxx.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AB
Mounting: SMD
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GL41YHE3/97 GL41YHE3/97 Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
товар відсутній
GL41YHE3/97 GL41YHE3/97 Виробник : Vishay General Semiconductor bym10-xxx.pdf Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
товар відсутній
GL41YHE3/97 Виробник : VISHAY bym10-xxx.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AB
Mounting: SMD
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.2V
товар відсутній