![GI750-E3/54 GI750-E3/54](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/385/P600.jpg)
GI750-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![gi750.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 33.37 грн |
1600+ | 26.18 грн |
2400+ | 24.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GI750-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: P600, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.
Інші пропозиції GI750-E3/54 за ціною від 23.49 грн до 61.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GI750-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GI750-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: P600, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: P600 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
на замовлення 3465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GI750-E3/54 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
GI750-E3/54 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |