Продукція > SEMIQ > GHXS050A170S-D3
GHXS050A170S-D3

GHXS050A170S-D3 SemiQ


GHXS050A170S_D3-1916809.pdf Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 15 шт:

термін постачання 125-134 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4084.42 грн
10+ 3587.17 грн
20+ 2933.73 грн
50+ 2835.33 грн
100+ 2738.33 грн
200+ 2639.93 грн
500+ 2518.34 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GHXS050A170S-D3 SemiQ

Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V.

Інші пропозиції GHXS050A170S-D3 за ціною від 10865.88 грн до 12047.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S-D3 Виробник : SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+12047.75 грн
10+ 10865.88 грн