![GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D](https://media.digikey.com/Photos/GeneSiC%20Semiconductor/G2R1000MT17D.jpg)
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor
![GE2X8MPS06D.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 394.6 грн |
10+ | 338.1 грн |
25+ | 322.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Інші пропозиції GE2X8MPS06D за ціною від 272.01 грн до 530.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GE2X8MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
GE2X8MPS06D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GE2X8MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |