![GE2X10MPS06D GE2X10MPS06D](https://www.mouser.com/images/genesicsemiconductor/lrg/ge2x10mps06d_SPL.jpg)
GE2X10MPS06D GeneSiC Semiconductor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 499.38 грн |
10+ | 440.52 грн |
30+ | 366.19 грн |
120+ | 341.59 грн |
270+ | 326.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE2X10MPS06D GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Інші пропозиції GE2X10MPS06D за ціною від 341.76 грн до 591.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||
![]() |
GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товар відсутній |