GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.39 грн |
10+ | 107.3 грн |
25+ | 101.46 грн |
100+ | 87.41 грн |
250+ | 82.63 грн |
500+ | 79.18 грн |
1000+ | 74.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 11A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GE04MPS06E за ціною від 80.57 грн до 143.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GE04MPS06E | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GE04MPS06E | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR | GE04MPS06E SMD Schottky diodes |
товар відсутній |