GD800SGX170C3S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.75kW
Bauform - Transistor: -
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14642.19 грн |
| 5+ | 14641.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD800SGX170C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V, Dauer-Kollektorstrom: 800A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.75kW, Bauform - Transistor: -, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD800SGX170C3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD800SGX170C3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 800A Pulsed collector current: 1.6kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT x2 Case: C3 130mm Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor кількість в упаковці: 8 шт |
товар відсутній |
||
| GD800SGX170C3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 800A Pulsed collector current: 1.6kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT x2 Case: C3 130mm Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor |
товар відсутній |