GD800HFY120C3S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD800HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.203 kA, 1.7 V, 3.836 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.203kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.836kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.836kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.203kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27150.44 грн |
| 5+ | 24297.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD800HFY120C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD800HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.203 kA, 1.7 V, 3.836 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 1.203kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 3.836kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.836kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 1.203kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD800HFY120C3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD800HFY120C3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 800A Pulsed collector current: 1.6kA Collector current: 800A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C3 130mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 8 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD800HFY120C3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 800A Pulsed collector current: 1.6kA Collector current: 800A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C3 130mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge |
товару немає в наявності |