GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 650V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2429.31 грн |
| 10+ | 2149.01 грн |
| 25+ | 2077.64 грн |
| 100+ | 1853.16 грн |
| 250+ | 1791.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 650V SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GD2X60MPS06N за ціною від 1910.55 грн до 2712.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X60MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GD2X60MPS06N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X60MPS06N Diode modules |
товар відсутній |