GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 854.47 грн |
10+ | 744.76 грн |
25+ | 715.07 грн |
100+ | 631.72 грн |
250+ | 606.99 грн |
500+ | 589.23 грн |
1000+ | 562.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD2X20MPS12D за ціною від 605.39 грн до 981.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GD2X20MPS12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor | 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GD2X20MPS12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GD2X20MPS12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor | 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GD2X20MPS12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor | 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
GD2X20MPS12D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR | GD2X20MPS12D THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |