GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5791.22 грн |
| 10+ | 5139.64 грн |
| 25+ | 4974.74 грн |
| 100+ | 4444.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD2X100MPS12N за ціною від 4696.49 грн до 6291.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X100MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| GD2X100MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
товар відсутній |
||||||||||||
| GD2X100MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
товар відсутній |
||||||||||||
| GD2X100MPS12N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 420A Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 100A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 800A Electrical mounting: screw Max. load current: 420A Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns кількість в упаковці: 150 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| GD2X100MPS12N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 420A Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 100A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 800A Electrical mounting: screw Max. load current: 420A Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns |
товар відсутній |