GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3025.22 грн |
| 10+ | 2815 грн |
| 30+ | 2779.59 грн |
| 100+ | 2578.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GD2X100MPS06N за ціною від 2575.49 грн до 6780.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw Semiconductor structure: double independent Reverse recovery time: 10ns Max. forward impulse current: 440A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: SOT227B Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 231A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 108A x2 |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw Semiconductor structure: double independent Reverse recovery time: 10ns Max. forward impulse current: 440A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: SOT227B Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 231A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 108A x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| GD2X100MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |