![GD20MPS12H GD20MPS12H](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/32/CC/E0/00/0/969763_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=ab9a4a042c0edaf211f70d6e264bdd9e8e4c54c4)
GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR
![GD20MPS12H.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
Semiconductor structure: single diode
Load current: 27A
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 484.9 грн |
3+ | 369.73 грн |
7+ | 349.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD20MPS12H за ціною від 328.41 грн до 581.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GD20MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 39A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
на замовлення 3139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GD20MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GD20MPS12H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube Case: TO247-2 Mounting: THT Max. forward impulse current: 128A Semiconductor structure: single diode Load current: 27A Max. forward voltage: 1.9V Max. load current: 67A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
GD20MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |