Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD20MPS12H
GD20MPS12H

GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

GD20MPS12H.pdf Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
Semiconductor structure: single diode
Load current: 27A
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+484.9 грн
3+ 369.73 грн
7+ 349.23 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD20MPS12H за ціною від 328.41 грн до 581.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.64 грн
10+ 440.09 грн
25+ 421.6 грн
100+ 371.2 грн
250+ 355.75 грн
500+ 344.82 грн
1000+ 328.41 грн
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H-3003106.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+544.48 грн
10+ 482.55 грн
30+ 402.03 грн
120+ 377.43 грн
270+ 361.27 грн
510+ 350.02 грн
1020+ 338.78 грн
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
Semiconductor structure: single diode
Load current: 27A
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+581.88 грн
3+ 460.74 грн
7+ 419.08 грн
GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товар відсутній