![GD20MPS12A GD20MPS12A](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/1242%3BTO220-2%3B%3B2.jpg)
GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor
![GD20MPS12A.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 447.82 грн |
10+ | 386.64 грн |
25+ | 369.73 грн |
100+ | 324.77 грн |
250+ | 310.82 грн |
500+ | 300.67 грн |
1000+ | 286.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 42A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD20MPS12A за ціною від 299.42 грн до 486.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 158-167 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 29A Max. load current: 67A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 128A Max. forward voltage: 1.9V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GD20MPS12A | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 29A Max. load current: 67A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 128A Max. forward voltage: 1.9V |
товар відсутній |