GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 272.19 грн |
| 10+ | 231.06 грн |
| 25+ | 219.58 грн |
| 100+ | 190.9 грн |
| 250+ | 182.05 грн |
| 500+ | 175.1 грн |
| 1000+ | 166.01 грн |
| 2500+ | 157.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD10MPS12A за ціною від 173.61 грн до 376.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD10MPS12A | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: Y-EX Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: MPS Series SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |