GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 417.09 грн |
10+ | 366.46 грн |
30+ | 304.28 грн |
120+ | 283.42 грн |
270+ | 270.47 грн |
510+ | 261.84 грн |
1020+ | 252.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GD05MPS17H за ціною від 296.29 грн до 538.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GD05MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GD05MPS17H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR | GD05MPS17H THT Schottky diodes |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|