GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 73pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.49 грн |
| 10+ | 86.84 грн |
| 25+ | 82.03 грн |
| 100+ | 70.52 грн |
| 250+ | 65.99 грн |
| 500+ | 63.4 грн |
| 1000+ | 59.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 6nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Gen IV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції GD02MPS12E за ціною від 76.58 грн до 124.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD02MPS12E | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
| GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD02MPS12E SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 73pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V |
товар відсутній |