GCMX040B120S1-E1 SemiQ
Виробник: SemiQDescription: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2008.33 грн |
| 10+ | 1718.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GCMX040B120S1-E1 SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції GCMX040B120S1-E1 за ціною від 1235.14 грн до 2179.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GCMX040B120S1-E1 | Виробник : SemiQ |
Discrete Semiconductor Modules |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|