![GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/E5/1A/B0/00/0/762206_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=b1cd9c06a7d53c327a65eae48b492fff0f44fb0f)
GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR
![GC2X10MPS12-247.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 795.56 грн |
2+ | 513.96 грн |
5+ | 486.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 80, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції GC2X10MPS12-247 за ціною від 583.37 грн до 1537.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GC2X10MPS12-247 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 20A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
GC2X10MPS12-247 | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 80 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
GC2X10MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
GC2X10MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
GC2X10MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
GC2X10MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товар відсутній |