![GC20MPS12-247 GC20MPS12-247](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2TO247AD-40.jpg)
GC20MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR
![2720492.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 711.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC20MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 79, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції GC20MPS12-247
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GC20MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
GC20MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
GC20MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
GC20MPS12-247 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товар відсутній |
||
|
GC20MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 90A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
товар відсутній |