![GBU8M-E3/45 GBU8M-E3/45](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/25/53/617/vsh_/manual/88606-pt-medium.jpg)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 39.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBU8M-E3/45 Vishay
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 8A, Max. forward impulse current: 200A, Version: flat, Case: GBU, Electrical mounting: THT, Leads: flat pin, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1V, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GBU8M-E3/45 за ціною від 48.64 грн до 143.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: GBU Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: GBU Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 3.9 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
GBU8M-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |