![GBU607H GBU607H](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2550/GBU605-D2G.jpg)
GBU607H Taiwan Semiconductor Corporation
![GBU601 SERIES_N2103.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.65 грн |
20+ | 61.31 грн |
100+ | 47.7 грн |
500+ | 37.95 грн |
1000+ | 30.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBU607H Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Grade: Automotive, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції GBU607H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBU607H | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |